大众科技2024,Vol.26Issue(1) :63-68.

基于SECM探究含镓铝合金微区腐蚀行为

陈志文 辛延琛 廖中华 马英群 王友彬
大众科技2024,Vol.26Issue(1) :63-68.

基于SECM探究含镓铝合金微区腐蚀行为

陈志文 1辛延琛 1廖中华 1马英群 2王友彬1
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作者信息

  • 1. 广西大学资源环境与材料学院,广西南宁 530004
  • 2. 广西科技经济开发中心有限公司,广西南宁 530022
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摘要

为探究杂质镓(Ga)对铝合金微区腐蚀行为的影响,采用宏观电化学测试技术及扫描电化学显微镜(SECM)研究含镓铝合金在NaCl溶液中的腐蚀行为.研究结果显示,随着Ga含量的升高,铝合金阻抗值由4.80×103Ω·cm2降至4.07×102Ω·cm2,腐蚀电位由-0.72 V降至-1.00V,腐蚀电流密度由1.55 μA/cm2增大到47.90 μA/cm2;从铝合金中溶解出的Ga3+可以再沉积到铝合金表面,破坏其表面氧化膜;铝合金在浸泡0.5h后即发生明显腐蚀,且腐蚀区域随时间增加不断扩展.研究表明,Ga可增加铝的电化学活性,破坏其表面氧化膜,从而加快腐蚀.

关键词

铝合金//微区腐蚀/扫描电化学显微镜

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基金项目

广西壮族自治区自治区级大学生创新创业训练计划(20220100005)

出版年

2024
大众科技
中国科技开发院广西分院

大众科技

影响因子:0.329
ISSN:1008-1151
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