基于GaAs衬底的功分器芯片设计

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中文摘要：依据Wilkinson功分器原理,将四分之一波长传输线等效为集总参数电路,在GaAs衬底上设计并实现一款20～30 GHz宽带功分器芯片.通过工艺线提供的衬底设置和电磁仿真软件建模仿真优化,功分器的测试结果和仿真结果具有较高的一致性.芯片尺寸为0.9 mm×0.7 mm×0.1 mm.探针台在片测试结果表明,功分器芯片在设计带宽20～30 GHz内,插入损耗小于4 dB,隔离度大于20 dB,输入回波损耗和输出回波损耗均优于15 dB,具有低损耗、高隔离、驻波好、面积小、成本低的优良特性.

外文标题：Design of Power Divider Chip Based on GaAs Substrate

作者：

韦雪真、白银超、王朋、郝志娟

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作者单位：

中国电子科技公司第十三研究所,河北石家庄 050051

关键词：

Wilkinson功分器 GaAs衬底插入损耗

出版年：

2022

DOI：

10.16311/j.audioe.2022.10.034