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Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性

Negative Resistance Characteristics of Si/SiGe/Si Double Heterojunction Bipolar Transistors

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同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中,在高集电极--发射极电压、大电流下,由于热电正反馈,容易发生热击穿,这限制了晶体管的安全工作区域.本文报道了在大电流下,由于热电负反馈,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性,并对这一现象进行了新的解释,认为这是由于大电流下耗散功率增加,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果.这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力,证明Si/SiGe/HBT适于大功率应用.

张万荣、李志国、王立新、汪东、崔福现、孙英华、程尧海、陈建新、沈光地、罗晋生

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北京工业大学电子系

信息产业部电子第13研究所

西安交通大学微电子研究所

SiGe/Si异质结双极晶体管 负阻 输出特性

北京市自然科学基金北京市科技新星计划项目

4982004952871900

2001

电子学报
中国电子学会

电子学报

CSCD北大核心
影响因子：1.237
ISSN：0372-2112
年,卷(期)：2001.29(8)
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