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用于铜电化学机械抛光的羟基乙叉二膦酸基电解液反应机理研究

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在铜电化学机械抛光(ECMP)工艺中,羟基乙叉二膦酸(HEDP)可与其他水处理剂协同抑制电解并使金属表面光滑,而传统的操作电位低于4 V(vs.SCE)限制了反应过程中的材料去除率.为解决此问题,在较高电位下对铜进行动电位腐蚀、静电位腐蚀和ECMP试验,研究工艺可行性并探索电解液的反应机理.结果表明:在6 V(vs.SCE)下,能最大程度地提高铜片的表面粗糙度和材料去除率.反应机理推测:从工作电极电离得到的铜离子与两个HEDP分子反应生成配位化合物[CuL2]6-后与K+结合形成配位化合物[KCuL2]5-.
Study on Reaction Mechanism of Hydroxyethylidene Diphosphonic Acid Based Electrolyte for Electrochemical Mechanical Polishing of Copper

吴由頁、康仁科、郭江、刘作涛、金洙吉

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大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁大连116024

羟基乙叉二膦酸 电化学机械抛光 反应机理

国家自然科学基金资助项目科学挑战计划科学挑战计划国家自然科学基金委员会创新研究小组科学基金资助项目

90923025TZ2016006-0103TZ2016006-0107-0251621064

2020

电加工与模具
苏州电加工机床研究所 中国机械工程学会特种加工分会

电加工与模具

CSTPCD
影响因子：0.285
ISSN：1009-279X
年,卷(期)：2020.(3)
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