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成膜电位对GH3536在NaNO3溶液中钝化膜性能的影响

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通过塔菲尔极化曲线、恒电位极化曲线、交流阻抗谱及Mott-Schottky曲线(M-S曲线)等测试方法对固溶处理锻件GH3536在NaNO3溶液中钝化膜的性能进行了研究.结果表明:GH3536的钝化平台区间为0～0.87 V,钝化膜的维钝电流随恒电位增大而增大;容抗弧半径、最大阻抗膜值、钝化膜膜厚随钝化电位的增大而减小,均在0.8 V时达到最小值;恒电位极化30 min后,钝化膜在0～0.2 V钝化平台内M-S曲线呈现N型半导体特征,而在0.2～0.8 V内呈现P型半导体特征.通过研究分析钝化膜的性能随成膜电位变化的规律,可为后续进行电化学去除奠定理论基础.
Influence of Film Formation Potential on Passivation Film Performance of GH3536 in NaNO3 Solution

尹瀛月、霍金星、马玉财、孟翔宇、张建华

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山东大学机械工程学院,高效清洁机械制造教育部重点试验室,国家试验机械工程教育示范中心,山东济南250061

钝化膜 钝化电位 交流阻抗谱 Mott-Schottky曲线

国家重点研发计划

2018YFB1105903

2020

电加工与模具
苏州电加工机床研究所 中国机械工程学会特种加工分会

电加工与模具

CSTPCD
影响因子：0.285
ISSN：1009-279X
年,卷(期)：2020.(4)
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