大科技2019，Issue(3) ：267-268.

多孔硅的特性研究及一维多孔硅光子晶体的制备

赵杨
大科技2019，Issue(3) ：267-268.
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多孔硅的特性研究及一维多孔硅光子晶体的制备

赵杨1
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  • 1. 长春理工大学理学院 长春 130022
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摘要

本文主要对P型单晶硅片进行电化学刻蚀,通过改变电流密度和腐蚀时间来控制多孔硅的孔隙度及多孔层厚度.实验结果表明,随着腐蚀时间与电流密度的增加,多孔硅的孔隙度逐渐增大,多孔层厚度逐渐增加.采用电流-时间调制,制备出一维多孔硅光子晶体,通过扫描电子显微镜测试其形貌.

关键词

多孔硅/电化学腐蚀/孔隙度/多孔层厚度/一维多孔硅光子晶体

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出版年

2019
大科技
海南省科学技术信息研究所

大科技

影响因子：0.172
ISSN：1004-7344
参考文献量3
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