低温与特气2022，Vol.40Issue(6) ：13-15,46.DOI:10.3969/j.issn.1007-7804.2022.06.004

浅述二碘硅烷的合成研究进展

Research Process of Synthesis for Diiodosilane

王维佳 杨振建 张杰 舒冬永 王新鹏
低温与特气2022，Vol.40Issue(6) ：13-15,46.DOI:10.3969/j.issn.1007-7804.2022.06.004
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浅述二碘硅烷的合成研究进展

Research Process of Synthesis for Diiodosilane

王维佳 1杨振建 1张杰 1舒冬永 1王新鹏2
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作者信息

  • 1. 绿菱电子材料(天津)有限公司,天津301714;天津绿菱气体有限公司,天津300457
  • 2. 天津绿菱气体有限公司,天津300457
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摘要

在大规模集成电路制程中,二碘硅烷作为硅前驱体可以在众多基材上进行气相沉积,被列为从10 nm线宽跨越到6 nm线宽制程的关键硅源物质.对二碘硅烷的制备和纯化方法进行归纳和总结,为国内高纯二碘硅烷的研发和生产提供参考,促进国内硅源前驱体的发展.

关键词

二碘硅烷/性质/合成

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出版年

2022
低温与特气
光明化工研究设计院

低温与特气

影响因子：0.232
ISSN：1007-7804
参考文献量15
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