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浮空场限环终端结构的仿真分析和参数优化

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为了提高功率半导体器件的耐压,常常在其结构终端上设置浮空场限环,而环宽、环间距以及环数的确定是场限环设计的难点.本文利用Baliga的理论基础,结合silvaco的仿真分析,给出了1200V平面功率半导体器件所需要的浮空场限环的设计参数.

范春雨、关艳霞、潘福泉

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沈阳工业大学信息科学与工程学院,辽宁沈阳,110870

功率器件 浮空场限环 终端结构

2017

电源技术应用
中国电源学会,陕西省电源学会

电源技术应用

影响因子：0.173
ISSN：0219-2713
年,卷(期)：2017.20(5)
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