基于第一性原理计算方法的氮化铟量子点发光二极管电子结构和发光机制分析
Analysis of Electronic Structure and Luminescence Mechanism of Indium Nitride Quantum Dot Light-emitting Diodes Based on First Principles Calculation Method
罗达峰 1吴洁 2冯贤娟 2刘蕊2
作者信息
- 1. 南通大学杏林学院,江苏 226000;南通大学物理科学与技术学院,江苏 226000
- 2. 南通大学杏林学院,江苏 226000
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摘要
阐述通过对氮化铟量子点发光二极管的能带结构、电子态密度和能带间隙等参数分析,揭示器件中电子和空穴的分布情况,以及发光行为的原理.氮化铟量子点发光二极管具有优良的发光性能.
Abstract
This paper describes the analysis of the band structure,electronic density of states,and band gap parameters of indium nitride quantum dot light-emitting diodes,revealing the distribution of electrons and holes in the devices,as well as the principles of luminescence behavior.Indium nitride quantum dot light-emitting diodes have excellent luminescent properties.
关键词
氮化铟量子点/发光二极管/第一性原理计算/电子结构/发光机制Key words
indium nitride quantum dots/light-emitting diodes/first principles calculations/electronic structure/luminescent mechanisms引用本文复制引用
基金项目
江苏省高等教育学会评估委员会课题(2021-C122)
南通大学杏林学院教育教学研究项目(2022J12)
出版年
2024
NETL
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