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基于磁性传感器的低失调温度补偿接口电路设计

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面向磁性传感器在物联网(IoT)技术中的广泛应用,该文基于180 nm CMOS工艺设计了一种具有低失调电压,低温度漂移特性的霍尔传感器接口电路.针对霍尔传感器灵敏度的温度漂移特性,该文设计了一种感温电路并与查表法相结合,调节可编程增益放大器(PGA)的增益有效地降低了霍尔传感器的温度系数(TC).在此基础上,通过在信号主通路中使用相关双采样(CDS)技术,极大程度上消除了霍尔传感器的失调电压.仿真结果表明,在–40°C~125°C温度范围内,霍尔传感器的TC从966.4 ppm/°C减小到了58.1 ppm/°C.信号主通路的流片结果表明,霍尔传感器的失调电压从25 mV左右减小到了4 mV左右,霍尔传感器的非线性误差为0.50%.芯片的总面积为0.69 mm2.
Design of Low Offset Temperature Compensation Interface Circuit Based on Magnetic Sensor
Considering the widespread application of magnetic sensors in the Internet of Things (IoT), a Hall sensor readout interface circuit with low offset voltage and low-temperature drift characteristics based on a 180 nm CMOS process is designed in this work. In response to the temperature drift characteristic of the Hall sensor sensitivity, a temperature sensing circuit that is combined with the table lookup method to adjust the gain of the Programmable Gain Amplifier (PGA) is designed, which effectively reduces the Temperature Coefficient (TC) of the Hall sensor. On this basis, the offset voltage of the Hall sensor is greatly eliminated by the use of Correlated Double Sampling (CDS) technology in the main signal channel. The simulation results show that the TC of the Hall sensor is decreased from 966.4 ppm/°C to 58.1 ppm/°C in the temperature range of –40°C~125°C. The chip measurement results of the main signal channel show that the offset voltage of the Hall sensor is reduced from about 25 mV to about 4 mV and the nonlinear error of the Hall sensor is 0.50%, which occupies an active area of 0.69 mm2.

Hall sensorReadout interface circuitTemperature compensationLow offset voltage

樊华、常伟鹏、王策、李国、刘建明、李宗霖、魏琦、冯全源

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电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 重庆 401331

电子科技大学集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院) 成都 611731

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成都华微电子科技股份有限公司 成都 610041

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霍尔传感器 接口电路 温度补偿 低失调电压

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2024

电子与信息学报
中国科学院电子学研究所 国家自然科学基金委员会信息科学部

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CSTPCD北大核心
影响因子:1.302
ISSN:1009-5896
年,卷(期):2024.46(4)