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高k介质SOI LDMOS RTS噪声测试新方法

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提出了一种基于智能温控的RTS噪声测试与分析新方法.该方法利用高k栅介质SOI LDMOS边界陷阱特性,首先建立了含有俘获时间常数、发射时间常数以及噪声幅度等参数的RTS噪声模型;然后设计了RTS噪声智能温控测试系统;最后对实测RTS噪声数据进行频谱变换,得到噪声功率谱密度并作分析.实验表明,该测试系统可以有效地获取高k栅介质SOI LDMOS的RTS噪声,具有良好的动态特性,且其本底噪声抑制率较高,较待测信号低两个数量级左右.
New Measurement Method of RTS Noise in SOI LDMOS with High-k Gate Dielectric

侯爱霞

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重庆科创职业学院人工智能学院,重庆402160

RTS噪声 SOILDMOS 噪声模型 氧化层陷阱 自动温控

国家自然科学基金

51275541

2020

电子器件
东南大学

电子器件

CSTPCD北大核心
影响因子：0.569
ISSN：1005-9490
年,卷(期)：2020.43(1)
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