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Si基埋置型GaAs芯片封装技术及其热分析

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传统贴置型芯片封装集成度低、散热效果差,为提高GaAs芯片的封装集成度与散热效果,基于MEMS异质集成技术提出一种毫米波硅埋置型三维封装模型结构,借助COMSOL软件开展热学仿真优化,得到芯片温度与封装基板厚度、底座厚度、涂覆银浆厚度、硅通孔(TSV)距离芯片中心位置及个数的变化规律,获得芯片埋置的热学最优化工艺参数.最终确定的模型集成度高、体积小、散热效果好,封装体积仅为20 mm×10 mm×1 mm,可以实现三维堆叠,芯片工作温度要比传统贴片封装模型降低13.64℃,符合芯片正常工作的温度需求.
Si-Based Embedded GaAs Chip Packaging Technology and Its Thermal Analysis

赵敏、周健、孙浩、伍滨和

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东华大学理学院,上海201620

中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

封装散热 GaAs芯片 Si基埋置型 TSV通孔 热学仿真

中国科学院联合基金

6141A01100101

2020

电子器件
东南大学

电子器件

CSTPCD北大核心
影响因子：0.569
ISSN：1005-9490
年,卷(期)：2020.43(3)
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