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LTE MTC射频发射机中CMOS功率放大器设计

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针对LTE MTC蜂窝物联网通信下的应用场景,本文给出了一种基于TSMC 65 nm CMOS LP工艺设计的AB类线性功率放大器.为达到一定的功率增益要求,采用两级级联结构,包括驱动级和功率级.两级电路均采用差分结构,可以在不提高电源电压的情况下,达到足够的输出功率和线性度,同时还有利于抑制共模噪声,减小寄生参数及键合线电感对电路性能的影响.为了避免晶体管被击穿,同时提高输入输出端口之间的隔离度,两级电路均采用共源共栅(Cascode)结构.后仿真结果表明,电源电压3.3V情况下,功率放大器在1880 MHz～1920 MHz频段工作稳定,输入反射系数S11<-10 dB,输入匹配良好,输出1 dB压缩点为24.1 dBm,饱和输出功率大于26 dBm,功率增益大于20 dB,输出1 dB压缩点出的功率附加效率25％,峰值效率达到30％.
Design of CMOS Power Amplifier for LTE MTC RF Transmitter

肖宁、朱祥飞、冯景、樊祥宁

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东南大学微电子学院,南京210096

东南大学信息科学与工程学院,南京210096

LTEMTC 线性度 CMOS 射频功率放大器

江苏省研究生创新工程项目国家电网科技项目

SJCX18_0057SGTYHT/17-JS-201

2020

电子器件
东南大学

电子器件

CSTPCD北大核心
影响因子：0.569
ISSN：1005-9490
年,卷(期)：2020.43(3)
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