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具有漏端Offset的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的特性及开态电流模型

Characterization and On-Current Model of Drain Offset a-IGZO Thin Film Transistors

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本文研究了具有不同漏端Offset长度(LDO)的非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)的电学特性,发现器件的阈值电压(Vth)、亚阈值摆幅(SS)、关态电流(Ioff)与LDO无明显依赖关系.通过分析漏端Offset区域的电流与电压关系,发现其遵循欧姆定律,由此提取出漏端Offset区域电阻(RDO).研究发现RDO与LDO成幂函数关系且幂次随栅源电压(VGS)的增加而增加,由此我们提出RDO的经验模型,同时利用此模型得到漏端Offset a-IGZO TFT的开态电流模型并通过与电流-电压曲线拟合得以验证.

赵金凤、杜孟君、张冬利、王槐生、单奇、王明湘

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苏州大学电子信息学院,江苏 苏州215006

漏端Offset 薄膜晶体管 非晶铟镓锌氧化物 电阻 开态电流模型

国家自然科学基金面上项目国家自然科学基金面上项目复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室开放课题复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室开放课题

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2020

10.3969/j.issn.1005-9490.2020.05.001

电子器件
东南大学

电子器件

CSTPCD北大核心
影响因子：0.569
ISSN：1005-9490
年,卷(期)：2020.43(5)
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