高均匀性1×128 SiC紫外雪崩光电二极管探测阵列

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中文摘要：主要研究了SiC雪崩光电二极管(APD)阵列对微弱紫外光的探测均匀性问题,设计并制备了1×128 SiC APD探测阵列,通过表征各像素点的电流-电压曲线,提取出APD阵列的击穿电压波动在±0.1 V;通过被动淬灭电路表征各像素点的微弱紫外光探测能力,提取出APD阵列的暗计数率波动在±0.5 Hz/μm2,单光子探测效率波动在±0.4％,良率达到91％,结果表明本工作设计的SiC APD探测阵列能够为微弱紫外光成像技术提供可行的技术方案.

外文标题：High uniformity 1×128 SiC ultraviolet avalanche photodiode detection array

外文摘要：Here we designed and prepared a 1 × 128 linear array of SiC avalanche photodiode(APD),which was then further assessed for its detection uniformity of weak ultraviolet light.The results show that the breakdown voltage extracted from current-voltage curve fluctuates only±0.1 V.To characterize its detection behaviors,we used a specific passive quenching circuit to reveal its photon-level detection features.The detection behaviors show high uniformity with small fluctuation of dark count rate of±0.5 Hz/μm2 and single photon detection efficiency of±0.4％.These results demonstrate that prepared SiC APD array structure can provide a feasible solution for ultraweak ultraviolet imaging technology.

外文关键词：

avalanche photodiodeSiCdetection arrayhigh uniformityyield

作者：

李红旭、苏琳琳、杨成东

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作者单位：

无锡学院电子信息工程学院,江苏无锡 214105

关键词：

雪崩光电二极管 SiC 探测阵列高均匀性良率

基金：

国家自然科学基金江苏省高等学校基础科学(自然科学)研究项目无锡市科技创新创业资金"太湖之光"科技攻关计划无锡学院引进人才科研启动项目无锡学院引进人才科研启动项目无锡学院引进人才科研启动项目

项目编号：

6210611122KJB510043K202310015502220012021r0112021r012

出版年：

2024

DOI：

10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.0052

电子元件与材料

中国电子学会　中国电子元件行业协会　国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)

电子元件与材料

CSTPCD北大核心

影响因子：0.491

ISSN：1001-2028

年,卷(期)：2024.43(7)