雪崩光电探测器用厚膜高阻外延材料的生长研究

扫码查看

原文链接

NETL
NSTL
万方数据

中文摘要：本文阐述了以P型重掺杂硅抛光片(ρ<0.02Ω⋅cm)为硅单晶衬底,采用化学气相外延方法生长P型厚层高阻外延层(T:62±3%μm,ρ:200±3%Ω⋅cm).通过对硅外延反应设备的流场、热场结构的设计,以及表面保护层等新工艺的设计和实施,对硅外延层的厚度/电阻率分布以及表面裂纹等影响因素进行了详细分析.通过傅里叶变换红外线光谱分析仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg C-V)、金相显微镜等量测设备对外延参数和表面质量进行了分析,成功制备出厚度不均匀性<1%、电阻率不均匀性<3%且表面无裂纹的厚膜高阻硅外延层.

作者：

刘云、李明达

展开 >

作者单位：

中电晶华(天津)半导体材料有限公司,天津,300220

关键词：

雪崩光电探测器硅外延均匀性裂纹

出版年：

2024

DOI：

10.19772/j.cnki.2096-4455.2024.3.003

电子元器件与信息技术

ISSN：

年,卷(期)：2024.8(3)

参考文献量5