摘要
本文阐述了以P型重掺杂硅抛光片(ρ<0.02Ω⋅cm)为硅单晶衬底,采用化学气相外延方法生长P型厚层高阻外延层(T:62±3%μm,ρ:200±3%Ω⋅cm).通过对硅外延反应设备的流场、热场结构的设计,以及表面保护层等新工艺的设计和实施,对硅外延层的厚度/电阻率分布以及表面裂纹等影响因素进行了详细分析.通过傅里叶变换红外线光谱分析仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg C-V)、金相显微镜等量测设备对外延参数和表面质量进行了分析,成功制备出厚度不均匀性<1%、电阻率不均匀性<3%且表面无裂纹的厚膜高阻硅外延层.
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