摘要
铜铟镓硒(CuIn1-XGaXSe2,简称CIGS)是一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族硫属化合物半导体材料,属四方晶系黄铜矿结构.CIGS薄膜材料具有带隙可调控、光吸收系数高达105cm-1、经济性优异等特征,是一种极具发展前景的薄膜太阳能电池光吸收层材料.CIGS薄膜的制备方法很多,涂覆法由于工艺简单、生产成本低、适合大规模化生产等优点成为近几年研究的热点.而制备出具有物相单一、符合预期化学计量比等特点的理想CIGS前躯物粉体是获得高质量薄膜的关键因素.本文主要探讨了CIGS的原理、制备技术以及CIGS器件性能提升的技术方案.
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