电子元器件与信息技术2024，Vol.8Issue(8) ：15-17.DOI:10.19772/j.cnki.2096-4455.2024.8.005

P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术分析

王斌 李孝权 肖添
电子元器件与信息技术2024，Vol.8Issue(8) ：15-17.DOI:10.19772/j.cnki.2096-4455.2024.8.005
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P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术分析

王斌 1李孝权 2肖添2
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作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆,400060;重庆中科渝芯电子有限公司,重庆,401332
  • 2. 重庆中科渝芯电子有限公司,重庆,401332
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摘要

在辐射条件下,P沟道VDMOS器件中的电子在辐射过程中会发生辐射跃迁,生成活性粒子(如质子、中子等).这些活性粒子会引起P沟道VDMOS器件的热效应与辐射损伤,从而影响器件的性能.热效应包含热膨胀、热应力等;辐射损伤包括辐射引起的电学性能退化和物理损伤等.在P沟道VDMOS器件中,电子与活性粒子之间会产生多粒子相互作用(如多粒子互穿、多粒子散射等),是一种极具潜力的器件.这种多核的单颗粒效应会引起P沟道VDMOS器件性能的退化,甚至导致器件的失效.

关键词

功率器件/抗辐射加固/局部厚场氧化层

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出版年

2024
电子元器件与信息技术

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