电子元器件应用2012，Vol.14Issue(2) ：34-36,52.DOI:10.3969/j.issn.1563-4795.2012.02.009

CMOS带隙基准源温度补偿的研究

毕长红 杨雪
电子元器件应用2012，Vol.14Issue(2) ：34-36,52.DOI:10.3969/j.issn.1563-4795.2012.02.009
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CMOS带隙基准源温度补偿的研究

毕长红 1杨雪1
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作者信息

  • 1. 电子科技大学微电子与固体电子学院,四川 成都610054
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摘要

在模拟和混合集成电路中,CMOS带隙基准源是应用广泛的重要单元,针对温度补偿对基准源性能的影响,本文从介绍CMOS带隙基准源的基本原理出发,分析了一阶补偿、二阶补偿以及更高阶补偿的CMOS带隙基准电路结构.

关键词

温度补偿/带隙基准源/精度

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出版年

2012
电子元器件应用
中国电子元件行业协会 中国电子学会元件分会

电子元器件应用

ISSN：1563-4795
被引量1
参考文献量1
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