电子元器件应用2012，Vol.14Issue(11) ：39-42.

一种SOI nLDMOS的开态特性设计

A design method of on-state characteristics for SOI nLDMOS

温恒娟 王猛 周淼
电子元器件应用2012，Vol.14Issue(11) ：39-42.
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一种SOI nLDMOS的开态特性设计

A design method of on-state characteristics for SOI nLDMOS

温恒娟 1王猛 1周淼2
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作者信息

  • 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都610054
  • 2. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035
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摘要

介绍了一种用于高压电平位移电路的SOI nLDMOS器件结构,对其漂移区、sink区、buffer区及场板等结构参数进行器件工艺联合仿真,并分析相关结构参数对开态特性的影响,用于指导高压MOS器件尤其是基于SOI的横向MOS器件的开态特性设计.采用优化的参数,器件关态击穿电压为296 V,开态击穿电压为265 V,比导通电阻为60.9 mΩ· cm2.

关键词

绝缘体上的硅SOI/高压器件/开态特性/比导通电阻

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出版年

2012
电子元器件应用
中国电子元件行业协会 中国电子学会元件分会

电子元器件应用

ISSN：1563-4795
参考文献量2
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