电子元器件应用2012，Vol.14Issue(11) ：101-104.

钪钨基体钡钨热阴极发射性能研究

Tungsten matrix barium tungsten cathode emission properties of

曹贵川 林祖伦 祁康成 王小菊
电子元器件应用2012，Vol.14Issue(11) ：101-104.
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钪钨基体钡钨热阴极发射性能研究

Tungsten matrix barium tungsten cathode emission properties of

曹贵川 1林祖伦 1祁康成 1王小菊1
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作者信息

  • 1. 电子科技大学光电信息学院,成都610054
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摘要

为获得电子发射性能优异的含钪钡热钨阴极,采用液固掺杂、掺杂钨粉还原、等静压制、高温烧结、浸渍发射物质等工艺,制备出钪钨基体钡钨热阴极.对该阴极的发射性能测试结果显示,在阴极温度分别为950℃、1050℃、1100℃时,脉冲发射电流密度分别为53.6A/cm2、65.7 A/cm2、79 A/cm2.分析认为,由于氧化钪均匀地覆盖在钨颗粒的表面,氧化钪与钨接触面增多,使氧化钪与钨的结合力增大,因此该阴极具有均匀性良好的热电子发射,较好的抗离子轰击能力.

关键词

氧化钪/掺杂/钡钨阴极/发射特性/电流密度

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出版年

2012
电子元器件应用
中国电子元件行业协会 中国电子学会元件分会

电子元器件应用

ISSN：1563-4795
被引量2
参考文献量1
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