为了提高低温多晶硅TFT电学特性的稳定性，分析了载流子迁移率受到器件结构、生产工艺及环境的影响。对在沟道长度相同的TFT器件中，不同沟道宽度对器件电学参数-载流子迁移率的影响进行研究。从器件结构上分析，电学特性的不同主要来源于栅绝缘层薄膜与半导体有源层薄膜的界面处、栅绝缘层内部以及半导体有源层薄膜内部的缺陷电荷。器件阈值电压(Vth)在陷阱电荷的影响下产生偏移，降低了载流子迁移率(μFE)，对TFT成品率及稳定性产生影响。建立了测试条件为:Vgs:+15～-15Vds=-0。1V(LIN)，step=-0。2V的Ids-Vds曲线模型，得到不同沟道宽度的载流子迁移率及阈值电压的变化数据。当沟道宽度在0～0。4μm范围内进行增幅变化时，阈值电压可维持在-2。55～-2。72V范围内呈线性波动，影响较小;而载流子迁移率伴随沟道宽度每增大0。1μm，其增大约8cm2V·s。沟道宽度的增幅与载流子迁移率的增幅呈正线性关系，是TFT器件中影响载流子迁移率的主要因素。
万方数据
维普
