首页|低介电耐温改性空心SiO2填充含氟聚芳醚腈复合材料的制备及性能

低介电耐温改性空心SiO2填充含氟聚芳醚腈复合材料的制备及性能

Preparation and properties of low dielectric and temperature-resistant poly (aryl ether nitrile) composites filled with modified hollow SiO2

扫码查看
原文链接
  • NETL
  • NSTL
  • 万方数据
开发低介电常数、低介电损耗和同时兼具耐温、高力学强度的聚合物介电材料对于满足5G领域的高性能介电材料具有重要的研究意义.采用含氟1H,1H,2H,2H-全氟取代癸基三乙氧基硅烷(PTES)对空心SiO2纳米粒子(HS)进行表面改性,并基于含氟聚芳醚腈共聚物(PEN-F),分别以流延法和相转换法制备了两种PTES改性HS填充的PEN-F复合材料(HS@PTES/PEN-F).采用FTIR和1H NMR证实了PEN-F共聚物的成功合成;通过FTIR、TGA和XPS等技术手段表征了PTES改性的HS结构和形貌;同时研究了HS@PTES/PEN-F复合材料的介电性能、力学强度和热稳定性等.研究结果表明,经PTES改性后的HS纳米粒子在PEN-F基体树脂中具有较好的分散性与界面相容性.在介电性能方面,当改性SiO2纳米粒子填充含量为7wt％时,通过流延法制备的HS@PTES/PEN-F复合膜在1 kHz时介电常数达2.88,介电损耗为0.0198;通过相转换法制备的HS@PTES/PEN-F复合膜在1 kHz时介电常数达1.19,介电损耗为0.0043.在力学性能方面,以相转换法为例,改性SiO2纳米粒子填充含量为5wt％时,其拉伸强度和弹性模量分别达到10.34 MPa和365.32 MPa.此外,HS@PTES/PEN-F复合膜的玻璃化转变温度可达到160℃,具有较好的热稳定性.

杨威、詹迎青、奉庆萤、孙傲、董洪雨

展开 >

西南石油大学 化学化工学院,成都 610500

西南石油大学 油气藏地质及开发工程国家重点实验室,成都 610500

含氟聚芳醚腈 SiO2 介电材料 耐温 低损耗

国家自然科学基金青年基金

51903215

2022

10.13801/j.cnki.fhclxb.20210707.002

复合材料学报
北京航空航天大学 中国复合材料学会

复合材料学报

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：0.933
ISSN：1000-3851
年,卷(期)：2022.39(5)
  • 2
  • 8