摘要
ITO(氧化铟锡)薄膜是一种重掺杂、 高简并的N型半导体材料,具有较高的可见光透过率、 导电率、 机械物理硬度和稳定的化学性质.由于工艺设备和技术参数的不一致,导致沉积ITO薄膜的物理光电性质和原子结构产生较大差别.本文在O2和N2配比气氛下进行退火处理条件,制备了不同膜厚ITO薄膜,研究了退火处理温度、时间、气氛配比和膜厚对ITO薄膜结构与性能的影响.结果表明:在一定的退火温度内,较高的退火温度有利于提高ITO薄膜透过率,ITO薄膜的晶体结构随着沉积温度的上升更完善.较长的退火时间有利于ITO薄膜与O2充分反应,有利于提高ITO薄膜透过率,降低面电阻,快速热退火的最佳时间为210s.当氮气氧气流量比为99:1时,薄膜的透过率最高,且热量分布均匀.
基金项目
佛山市科学技术局项目枟佛山市智慧植物工厂工程技术研究中心枠(FS0AA-KJ819-4901-004)
佛山科学技术学院学术基金重点项目枟营养实时可控微型植物生长系统枠()
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