兼容5G毫米波n257和n258频段的氮化镓低噪声放大器设计研究

A GaN Low Noise Amplifier for 5G Millimeter Wave Band n257 and n258 Applications

张耀 ¹张志浩 ²章国豪²

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作者信息

1. 广东工业大学信息工程学院, 广东广州 510006
2. 广东工业大学信息工程学院, 广东广州 510006;河源广工大协同创新研究院, 广东河源 517000
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摘要

基于100 nm的氮化镓(Gallium Nitride,GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)工艺设计了一款毫米波低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)单片式微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)芯片.该款低噪声放大器采用三级级联的拓扑结构,对带宽、噪声和增益进行了联合优化设计.测试结果显示,工作频率范围覆盖24～30 GHz,可兼顾5G毫米波n257(26.5～29.5 GHz)和n258(24.25～27.5 GHz)频段,噪声系数可达到2.4～2.5 dB的水平,小信号增益在21.1～24.1 dB之间,输出1 dB功率压缩点大于14.4 dBm的水平.

关键词

低噪声放大器/氮化镓(GaN)/毫米波

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基金项目

国家自然科学基金(61974035)

广东省重点领域研发计划(2018B010115001)

广东省珠江人才计划本土创新科研团队项目(2017BT01X168)

出版年

2022

广东工业大学学报

广东工业大学

广东工业大学学报

影响因子：0.628

ISSN：1007-7162

参考文献量6

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