基于紫外光刻的双轴张应变Ge/SiGe多量子阱电吸收调制器

Biaxially tensile-strained Ge/SiGe multiple quantum wells electro-absorption modulator based on ultraviolet lithography

黄强 ¹高建峰 ²黄楚坤 ²江佩璘 ²孙军强 ²余长亮³

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作者信息

1. 华中科技大学武汉光电国家研究中心,湖北武汉430074;邵阳学院电气工程学院多电源地区电网运行与控制湖南省重点实验室,湖南邵阳422000
2. 华中科技大学武汉光电国家研究中心,湖北武汉430074
3. 武汉飞思灵微电子技术有限公司,湖北武汉430074
折叠

摘要

采用紫外光刻工艺(ultraviolet lithography technique,UVL),在互补金属氧化物半导体(com-plementary metal oxide semiconductor,CMOS)兼容的硅基平台上制作了基于悬空微桥结构在Ge/SiGe多量子阱材料中引入双轴张应变的低偏振相关电吸收调制器.利用拉曼光谱测试了器件引入双轴张应变的大小,并对器件在横电(transverse electric,TE)偏振和横磁(transverse magnetic,TM)偏振下的光电流响应、调制消光比和高频响应等性能进行了测试.器件的低偏振相关消光比在0 V/4 V工作电压下可达5.8 dB,3 dB调制带宽在4 V反向偏置电压时为8.3 GHz.与电子束光刻工艺(electron beam lithography technique,EBL)相比,采用UVL制作的器件在调制消光比、高频响应带宽等性能上略差一点,但具有曝光时间短、成本低和可大批量生产等优势,应用前景广阔.

关键词

紫外光刻工艺(UVL)/Ge/SiGe多量子阱/双轴张应变/低偏振相关/电吸收调制器

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基金项目

湖北省重点研发计划(2021BAA002)

出版年

2022

光电子·激光

天津理工大学中国光学学会

光电子·激光

CSCD北大核心

影响因子：1.437

ISSN：1005-0086

参考文献量19

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