首页|器件结构设计对异质结像素探测器性能的影响

器件结构设计对异质结像素探测器性能的影响

扫码查看
原文链接
  • NETL
  • NSTL
  • 万方数据
  • 维普
像素探测器一直是高分辨率、高速率粒子跟踪的工作平台.本文以多晶硅/氧化硅(poly-Si/SiOx)钝化接触异质结结构设计了硅像素探测器,为了实现探测器的超快响应,采用Silvaco TCAD对异质结硅像素探测器进行器件仿真,一方面研究了不同衬底厚度对载流子输运和收集的影响,另一方面研究了器件结构设计对异质结像素探测器击穿电压的影响.仿真结果表明:在相同的偏置电压下,较薄的硅衬底可以获得更强的漂移电场,进而提高器件对信号电荷的输运与收集速率,有利于提高探测器的时间响应.较小的保护环-有源区间距有利于提高器件的击穿电压,而在保护环-有源区间距较大的情况下,在有源区边缘设计金属场板结构,也能够有效提高器件的击穿电压,使探测器可以工作在较高电压下,从而提升探测器的响应速率.
Effect of device structure design on the performance of heterojunc-tion pixel detector

宋鸿宇、陶科、李微、王博龙、罗威、贾锐

展开 >

天津理工大学集成电路科学与工程学院,天津300384

中国科学院微电子研究所,北京100029

硅像素探测器 仿真模拟 异质结 快速响应

国家重点研发项目国家重点研发项目国家重点研发项目国家自然科学基金国家自然科学基金国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市自然科学基金

2020YFB15065032018YFB1500502018YFB150020062074165120350205207239941920641212015

2023

10.16136/j.joel.2023.04.0336

光电子·激光
天津理工大学 中国光学学会

光电子·激光

CSCD北大核心
影响因子：1.437
ISSN：1005-0086
年,卷(期)：2023.34(4)
  • 2