金属/p-GaAs界面态对接触电阻作用机理的研究

Study on the mechanism of metal/p-GaAs interface state on contact resistance

张琛辉 ¹李冲 ²王智勇 ¹李巍泽 ²李占杰 ²杨帅²

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作者信息

1. 北京工业大学材料与制造学部先进半导体光电技术研究所,北京100124
2. 北京工业大学信息学部光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京100124
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摘要

本文针对大功率垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser,VCSEL)阵列热阻大、出光不均匀的问题,研究p-GaAs层欧姆接触电阻值的作用机理,降低欧姆接触串联电阻的方法,以提高VCSEL阵列出射光功率的均匀性.基于3种常用欧姆接触金属Ti/Au、Ni/Au、Ti/Al/Ti/Au,研究各层金属厚度和金属组合对与p型欧姆接触电阻的作用规律;结合等离子体表面处理工艺,改变金属/p-GaAs界面态,研究界面态对欧姆接触电阻的影响规律.实验对比分析得到金属Ti/Au结构电极欧姆接触的比接触电阻率最低,为3.25×10-4Ω·cm2;基于金半接触势垒模型,通过表面等离子体处理,界面势垒可降低12.6％(0.269 2 eV降至0.235 3 eV),等离子体轰击功率可调控金半界面的势垒和态密度.

关键词

垂直腔面发射激光器(VCSEL)/欧姆接触/比接触电阻率/等离子体表面处理/势垒

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基金项目

北京市自然科学基金(4202008)

出版年

2023

光电子·激光

天津理工大学中国光学学会

光电子·激光

CSCD北大核心

影响因子：1.437

ISSN：1005-0086

被引量1

参考文献量2

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