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金属/p-GaAs界面态对接触电阻作用机理的研究

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本文针对大功率垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser,VCSEL)阵列热阻大、出光不均匀的问题,研究p-GaAs层欧姆接触电阻值的作用机理,降低欧姆接触串联电阻的方法,以提高VCSEL阵列出射光功率的均匀性.基于3种常用欧姆接触金属Ti/Au、Ni/Au、Ti/Al/Ti/Au,研究各层金属厚度和金属组合对与p型欧姆接触电阻的作用规律;结合等离子体表面处理工艺,改变金属/p-GaAs界面态,研究界面态对欧姆接触电阻的影响规律.实验对比分析得到金属Ti/Au结构电极欧姆接触的比接触电阻率最低,为3.25×10-4Ω·cm2;基于金半接触势垒模型,通过表面等离子体处理,界面势垒可降低12.6％(0.269 2 eV降至0.235 3 eV),等离子体轰击功率可调控金半界面的势垒和态密度.
Study on the mechanism of metal/p-GaAs interface state on contact resistance

张琛辉、李冲、王智勇、李巍泽、李占杰、杨帅

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北京工业大学材料与制造学部先进半导体光电技术研究所,北京100124

北京工业大学信息学部光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京100124

垂直腔面发射激光器(VCSEL) 欧姆接触 比接触电阻率 等离子体表面处理 势垒

北京市自然科学基金

4202008

2023

10.16136/j.joel.2023.04.0272

光电子·激光
天津理工大学 中国光学学会

光电子·激光

CSCD北大核心
影响因子：1.437
ISSN：1005-0086
年,卷(期)：2023.34(4)
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