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基于p-型氮化硼材料的深紫外LED设计

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本文通过在发光二极管(light emitting diode,LED)的p掺杂区域引入六方氮化硼(hexagonal boron nitride,h-BN)结构,以提升深紫外(deep ultraviolet,DUV)LED 的空穴浓度.通过 COMSOL有限元软件对LED器件量子阱区域建模,结果表明:1)掺入h-BN后,p区域空穴浓度提升了约一个数量级,发射率和内量子效率(inernal quantum efficiency,IQE)得到了显著提升;2)随着h-BN厚度的增加,p区空穴浓度显著提升;3)h-BN相对于AIGaN材料带隙上移的特性,有效地阻挡了电子泄露,使量子阱区域电子和空穴复合进一步增强,有效改善了 DUV LED的发光效率.本文提出的设计结构为实验制备高量子效率的DUV LED器件提供了解决方案.
Design of deep ultraviolet LED based on p-type boron nitride mate-rial

quantum wellh-BN materialhole concentrationAlGaN material

王莉莉、符彬啸、张旭、薛琦、刘玉怀

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郑州大学电气信息学院河南省激光与光电信息技术重点实验室,河南郑州450001

郑州大学电子信息学院电子材料与系统国际联合研究中心,河南郑州450001

量子阱 六方氮化硼(h-BN)材料 空穴浓度 AlGaN材料

国家自然科学基金郑州大学科研项目郑州大学科研项目

62174148JC2020330452018ZDGGJS035

2023

10.16136/j.joel.2023.06.0403

光电子·激光
天津理工大学 中国光学学会

光电子·激光

CSCD北大核心
影响因子：1.437
ISSN：1005-0086
年,卷(期)：2023.34(6)
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