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多晶MAPbBr3薄膜中束缚载流子热发射复合过程

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  • 万方数据
有机-无机卤化铅钙钛矿(organic inorganic lead halide perovskite,OLHP)半导体材料内部的陷阱是影响OLHP的光电性能的重要因素.为了理解多晶的甲胺溴基钙钛矿((Methylammoni-um)PbBr3,MAPbBr3)薄膜中陷阱对光生载流子复合的影响,本文采用了时间分辨微波光电导(time resolved microwave conductivity,TRMC)技术探究了多晶MAPbBr3薄膜的光生载流子复合动力学过程.实验测量结果表明多晶MAPbBr3 薄膜的载流子复合过程包括自由载流子复合与束缚载流子的热发射复合两部分.其中,与束缚载流子热发射复合相关的能级远离连续带,且对应的能级深度约为0.6 eV,分布宽度约为89.2 meV.本文同时利用变激发波长TRMC对比实验,分析浅束缚光生电子与导带光生电子复合过程的差异.相比于导带上的电子,实验结果表明浅束缚电子跃迁到深束缚能级的概率更大.
Thermal emission recombination process of trapped carriers in polycrystalline MAPbBr3 films

polycrystalline MAPbBr3 filmtrapped carrierthermal emission recombinationtrap

陶婷婷、舒京婷、冯博浩、薛原、吴峰、党伟

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河北大学物理科学与技术学院河北省光学感知技术创新中心,河北保定 071002

天津理工大学理学院,天津 300384

多晶MAPbBr3薄膜 束缚载流子 热发射复合 陷阱

河北省自然科学基金青年基金

F2017201136

2023

10.16136/j.joel.2023.09.0469

光电子·激光
天津理工大学 中国光学学会

光电子·激光

CSCD北大核心
影响因子：1.437
ISSN：1005-0086
年,卷(期)：2023.34(9)
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