AlN薄膜的热应力模拟计算

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中文摘要：本文通过ANSYS有限元分析软件对薄膜的热应力进行了模拟计算,并通过理论计算验证了其合理性.模拟出了薄膜应力值及分布情况,分析了薄膜沉积温度与薄膜厚度对薄膜度应力的影响.从模拟的结果可以看出,薄膜上表面X方向应力主要集中在薄膜中心,边缘应力较小,但边缘的形变较大;薄膜的热应力随着薄膜沉积温度的升高而增大,随着膜厚的增加而减小.

外文标题：Simulation of Thermal Stress in AlN Thin Film

作者：

邹微微、王玉霞、徐扬、张秀

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作者单位：

长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春,130022

关键词：

热应力 AlN薄膜有限元

出版年：

2011

DOI：

10.3788/OMEI 20112801.0010