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基于CMOS工艺的Si-LED器件设计与测试

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采用CSMC(华润上华)0.5 μm CMOS工艺设计和制备了正向偏置和反向偏置情况下发出两种不同种类光的Si-LED.在室温条件下,对器件进行了初步测试,正向导通电压为0.7 V,反向击穿电压为7.5V.器件的结构采用P-base层与n+区交叠,形成Si-pn结LED.观察了Si-LED发光显微照片及实际器件的版图,并对器件的发光进行了光谱特性测量.Si-LED在正向偏置时,发出红外光,其发光峰值在1125nm;Si-LED在反向偏置时,发出可见光,其发光峰值在725m.
Design and Testing of a Si-LED based On CMOS Technology

谷晓、牛萍娟、李晓云、郭维廉

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天津工业大学信息与通信工程学院,天津,300160

天津大学,电子信息工程学院,天津,300072

Si-LED CMOS工艺 P-base 正向偏置 反向偏置

国家自然科学基金青年基金国家自然科学基金重点项目

6070601561036002

2011

10.3788/OMEI 20112801.0015

光机电信息
中国光学学会

光机电信息

影响因子：0.254
ISSN：1007-1180
年,卷(期)：2011.28(1)
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