首页|Amorphous oxide semiconductor for monolithic 3D DRAM:an enabler or passer-by?

Amorphous oxide semiconductor for monolithic 3D DRAM:an enabler or passer-by?

扫码查看
原文链接
  • NETL
  • NSTL
  • 万方数据

Shujuan Mao、Guilei Wang、Chao Zhao

展开 >

Beijing Superstring Academy of Memory Technology,China

国家重点研发计划国家自然科学基金北京市自然科学基金

2022YFB3606900620042164222082

2024

10.1093/nsr/nwad290

国家科学评论(英文版)

国家科学评论(英文版)

CSTPCD
ISSN：
年,卷(期)：2024.11(3)
  • 7