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AgInS2量子点调控及其在WLED应用上的研究进展

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  • 万方数据
AgInS2量子点是一种有趣的材料,其近红外带隙范围从1.87到1.98 eV,作为直接带隙半导体,它能通过调节Ag/In比例来调节带隙,它还具有较宽的PL峰和较大的Stokes位移,同时低毒环保的特性也使它成为有望替代含Cd、Hg和Pb等重金属元素的二元量子点的理想材料,在光电器件领域尤其在发光二极管中有着广泛的应用前景.本文详细阐述了AgInS2量子点晶体结构和发光机制,总结了其合成方法的特点并综述了通过壳体工程和掺杂的方法对AgInS2量子点进行调控的策略,最后介绍了该类量子点在发光二极管方面的应用进展.
Research progress on AgInS2 quantum dot regulation and its application in WLED

AgInS2nanoparticlessynthesisoptimizationWLED

刘汉语、谢志翔、陈婷、董延茂、周兴、袁妍、吴海涛、陈勇号

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苏州科技大学 化学与生命科学学院,江苏 苏州 215009

苏州科技大学 材料科学与工程学院,江苏 苏州 215009

国家日用与建筑陶瓷工程研究中心,江西 景德镇 333001

苏州科技大学 环境科学与工程学院,江苏 苏州 215009

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AgInS2 量子点 合成 优化 WLED

国家自然科学基金

52062019

2024

10.3969/j.issn.1001-9731.2024.02.006

功能材料
重庆材料研究院 中国仪器仪表学会仪表材料学会

功能材料

CSTPCD北大核心
影响因子：0.918
ISSN：1001-9731
年,卷(期)：2024.55(2)
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