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优质微晶硅薄膜的光学性质

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对以SiCl4和H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低温快速沉积的优质微晶硅薄膜的光学性质进行了研究.拉曼谱表明,微晶硅薄膜的晶化度超过80％;SEM结果表明,晶粒分布较均匀,大小平均为60nm左右;光照实验结果表明,该微晶硅薄膜光致电导率基本保持恒定;通过对气流分布进行调节,透射光谱结果表明,微晶硅薄膜的均匀性得到明显改善,均匀度高达95％.
Optical Properties of the High-Quality Microcrystalline Silicon Films

祝祖送、张杰、江贵生、尹训昌、余春日

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安徽省安庆师范学院 物理与电气工程学院 安徽省安庆市集贤北路1318号 246011

微晶硅薄膜 光照稳定性 均匀性 等离子体增强化学气相沉积

安庆师范学院青年科研基金

044-K10025000031

2014

光谱实验室
中科院化工冶金研究所

光谱实验室

影响因子：0.652
ISSN：1004-8138
年,卷(期)：2014.31(1)
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