固体电子学研究与进展2022，Vol.42Issue(2) ：109-113.

基于InP DHBT的K波段高线性功率放大器

A K-band Power Amplifier with High Linearity Based on InP DHBT

许鑫东 郭润楠 张斌
固体电子学研究与进展2022，Vol.42Issue(2) ：109-113.
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基于InP DHBT的K波段高线性功率放大器

A K-band Power Amplifier with High Linearity Based on InP DHBT

许鑫东 1郭润楠 1张斌1
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作者信息

  • 1. 南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京,210016
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摘要

基于1.6μm InP DHBT工艺,研制了一款MMIC高线性功率放大器.功率放大器采用两级结构,两级管芯皆偏置在AB类状态.功率放大器末级采用RC等效模型进行非线性匹配降低损耗,管芯基极采用自适应线性偏置技术提高线性度和温度稳定性.该芯片的尺寸为2.0mmX2.9mm.装壳测试结果表明,在25.5～28.5 GHz频带内,饱和输出功率为23 dBm;经双音测试,输出功率回退2.5dB后IMD3小于-30dBc.

关键词

InP/高线性功率放大器/微波单片集成电路

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出版年

2022
固体电子学研究与进展
南京电子器件研究所

固体电子学研究与进展

CSTPCD北大核心
影响因子：0.297
ISSN：1000-3819
参考文献量3
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