国外电子元器件2008，Vol.16Issue(7) ：20-21,24.

MOS晶体管技术

MOS transistor technology

牛宏亮 张云娟
国外电子元器件2008，Vol.16Issue(7) ：20-21,24.
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MOS晶体管技术

MOS transistor technology

牛宏亮 1张云娟1
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作者信息

  • 1. 西安铁路职业技术学院,陕西西安,710014
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摘要

简要回顾MOS晶体管一些具有代表性的技术进展,分析了其在将来超大规模集成电路(ULSI)应用中的主要限制.从材料以及器件结构两个方向分别阐述了突破现有MOS技术而最有希望被将来ULSI工业所采用的新型晶体管技术.

关键词

晶体管/高介电常数材料/器件结构/集成电路

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出版年

2008
国外电子元器件
西安三才科技实业有限公司

国外电子元器件

CSTPCD
影响因子：0.358
ISSN：1006-6977
参考文献量1
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