国家学术搜索
登录
注册
中文
EN
国外电子元器件
2008,
Vol.
16
Issue
(9) :
9-10,13.
开关电流电路基本单元误差分析及其改进
Analysis of error and improvement in switched current circuit memory cell
徐岩峰
康怡
罗广孝
国外电子元器件
2008,
Vol.
16
Issue
(9) :
9-10,13.
引用
认领
✕
来源:
NETL
NSTL
维普
万方数据
开关电流电路基本单元误差分析及其改进
Analysis of error and improvement in switched current circuit memory cell
徐岩峰
1
康怡
1
罗广孝
1
扫码查看
点击上方二维码区域,可以放大扫码查看
作者信息
1.
华北电力大学电气与电子工程学院,河北,保定,071003
折叠
摘要
开关电流技术(SI)是一种可取代开关电容技术的数据采样技术.首先介绍了SI技术,然后以SI电路基本单元为例,分析了SI电路存在的各种误差,并针对这些误差提出了解决方法;最后提出了一种新的改进电路.实验结果表明,采用TSMC 0.35μm工艺参数和Hspice仿真电路,所设计的电路误差小,输出波形理想,从而可达到预期的目的.
关键词
开关
/
误差/电流开关
/
时钟馈通误差
/
电荷注入误差
/
失配误差
引用本文
复制引用
出版年
2008
国外电子元器件
西安三才科技实业有限公司
国外电子元器件
CSTPCD
影响因子:
0.358
ISSN:
1006-6977
引用
认领
参考文献量
1
段落导航
相关论文
摘要
关键词
引用本文
出版年
参考文献
引证文献
同作者其他文献
同项目成果
同科学数据成果