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电子在硅掺杂石墨烯结构中的输运特性

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该文利用密度泛函理论计算了石墨烯6×3×1单层分子中的电子传输特性.计算结果表明,Si掺杂位置不同,石墨烯的能带结构发生改变.然后沿锯齿型方向加电极电压0.5V,再分别沿锯齿型方向和扶手椅型方向进行掺杂,利用Dmol3模块分析得到其传输特性曲线.计算结果表明,在掺杂原子均匀分布时,在其两端加正向电压和反向电压的情况下,电子传输相对较为稳定.当沿锯齿型方向和扶手椅型方向间隔掺杂时,电子反向传输浮动较大.并且发现在扶手椅型方向上掺入Si原子增多,则电子传输曲线峰值降低,符合欧姆定律的特性.
Research on Transport Properties of Electrons in Graphene Doped Silicon

熊德永、刁心峰、唐延林、马慧、令狐荣锋

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贵州师范学院物理与电子科学学院,贵州贵阳550018

贵州大学大数据与信息工程学院,贵州贵阳550025

贵州医科大学生物与工程学院,贵州贵阳550025

石墨烯 硅掺杂 传输特性

国家自然科学基金贵州省科学技术基金贵州省教育厅创新团队基金贵州省教育厅特色重点实验室基金贵州省教育厅青年人才成长项目

11364007黔科合J字[2013]2242号黔教教合人才团队201438号黔教合KY2014217号黔教合KY字2016215

2019

广西师范学院学报(自然科学版)
广西师范学院

广西师范学院学报(自然科学版)

影响因子：0.269
ISSN：1002-8743
年,卷(期)：2019.35(3)
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