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单层MoS2和WS2的太赫兹近场显微成像研究

Terahertz near-field microscopic imaging study of monolayer MoS2 and WS2

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采用太赫兹散射式扫描近场光学显微镜(THz s-SNOM)研究了化学气相沉积法制备的单层MoS2和WS2晶粒的太赫兹近场响应.在没有可见光激发时,未探测到可分辨的太赫兹近场响应,说明晶粒具有较低的掺杂载流子浓度.有可见光激发时,由于光生载流子的太赫兹近场响应,能够测得与晶粒轮廓完全吻合的太赫兹近场显微图.在相同的光激发条件下,MoS2的太赫兹近场响应强于WS2,反映了两者之间载流子浓度或迁移率的差异.研究结果表明,THz s-SNOM兼具超高的空间分辨率和对光生载流子的灵敏探测能力,对二维半导体材料和器件光电特性的微观机理研究具有独特的优势.

叶鑫林、游冠军

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上海理工大学 光电信息与计算机工程学院,上海 200093

太赫兹散射式近场光学显微镜 二硫化钼 二硫化钨 光生载流子分布 近场成像

国家重点研发计划国家重点研发计划

2017YFF01063042016YFF0200306

2022

10.3969/j.issn.1005-5630.2022.01.010

光学仪器
中国仪器仪表学会　上海光学仪器研究所　中国光学学会工程光学专业委员会

光学仪器

影响因子：0.432
ISSN：1005-5630
年,卷(期)：2022.44(1)
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