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缺陷ZnO纳米阵列的制备及其光降解性能

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以硝酸锌和氨水为反应原料,采用无种层低温溶液法制备ZnO纳米阵列,进一步通过硼氢化钠还原法制备缺陷ZnO纳米阵列.通过SEM、XRD、UV-Vis DRS和IR等方法对缺陷ZnO纳米阵列的结构和组成进行分析.探讨硼氢化钠浓度、还原反应温度及时间对缺陷ZnO纳米阵列光降解性能的影响.结果表明,所制备的ZnO纳米阵列紧密排列于不锈钢网表面,具有缺陷的ZnO阵列形貌未发生改变,仍为六边形柱状,直径约(0.5～1)μm.光催化实验表明,在1 M硼氢化钠溶液,还原反应温度50℃,还原反应时间12 h条件下,制备的缺陷ZnO纳米阵列性能最佳,对亚甲基蓝的降解率高达95.9％,相比较纯ZnO降解率提高了44个百分点.另外,缺陷ZnO纳米阵列对氧氟沙星、诺氟沙星及环丙沙星也表现出了较强的降解性能.
Preparation of defective ZnO nanoarrays and their photodegradation perfoemance

catalyst engineeringdefective structureZnO nanoarrayphotocatalytic degradation

田方园、于艳

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商洛学院化学工程与现代材料学院,陕西省尾矿资源综合利用重点实验室,陕西 商洛726000

催化剂工程 缺陷结构 ZnO纳米阵列 光催化降解

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S20211139605621SKY10523JP04019FK001

2024

10.3969/j.issn.1008-1143.2024.01.006

工业催化
西北化工研究院

工业催化

CSTPCD
影响因子：0.504
ISSN：1008-1143
年,卷(期)：2024.32(1)
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