基于不同衬底角度的GaInP/GaAs/InGaAs倒置三结太阳电池性能研究

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中文摘要：带隙组合为1.9/1.42/1.0 eV的三结GaAs太阳电池具有很好的电流匹配,AM0光谱下理论效率可达38%.由于不同衬底角度生长倒置三结的性能研究报道较少,文章分别采用6°和15°偏向角生长GaInP/GaAs/InGaAs倒置三结太阳电池进行研究,并研究其子电池性能差异.研究表明,6°衬底生长倒置三结表面粗糙度、翘曲,以及XRD均匀性均优于15°衬底.在性能方面,6°衬底电压比 15°衬底高 13 mV,900～100 nm和1 100～1 250 nm范围内QE光谱响应更高.

作者：

朱鸿根

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作者单位：

南昌大学材料科学与工程学院,江西南昌 330031

关键词：

衬底角度倒置生长三结GaAs太阳电池晶格失配

出版年：

2024

光源与照明

上海市照明学会

光源与照明

影响因子：0.153

ISSN：

年,卷(期)：2024.(8)