光源与照明2024，Issue(8) ：37-39.

基于不同衬底角度的GaInP/GaAs/InGaAs倒置三结太阳电池性能研究

朱鸿根
光源与照明2024，Issue(8) ：37-39.
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基于不同衬底角度的GaInP/GaAs/InGaAs倒置三结太阳电池性能研究

朱鸿根1
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作者信息

  • 1. 南昌大学 材料科学与工程学院,江西 南昌 330031
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摘要

带隙组合为1.9/1.42/1.0 eV的三结GaAs太阳电池具有很好的电流匹配,AM0光谱下理论效率可达38%.由于不同衬底角度生长倒置三结的性能研究报道较少,文章分别采用6°和15°偏向角生长GaInP/GaAs/InGaAs倒置三结太阳电池进行研究,并研究其子电池性能差异.研究表明,6°衬底生长倒置三结表面粗糙度、翘曲,以及XRD均匀性均优于15°衬底.在性能方面,6°衬底电压比 15°衬底高 13 mV,900～100 nm和1 100～1 250 nm范围内QE光谱响应更高.

关键词

衬底角度/倒置生长/三结GaAs太阳电池/晶格失配

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出版年

2024
光源与照明
上海市照明学会

光源与照明

影响因子：0.153
ISSN：
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