铝箔电化学侵蚀隧道孔生长速度研究

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中文摘要：在提出铝箔电化学脉冲侵蚀模型的基础上,进一步探讨铝箔电蚀隧道孔生长速度影响因素,推导出铝箔电蚀隧道孔生长速度公式:u=0.4iave(μm·s-1)(iave:单个脉冲侵蚀过程中隧道孔顶端面平均电流密度A·cm-2).

外文标题：Research of Tunnel Growth in Aluminum Foil for Capacitor

作者：

肖仁贵、闫康平

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作者单位：

贵州大学化学工程学院,贵州贵阳550003

四川大学化工学院,四川成都610065

关键词：

铝箔侵蚀电化学隧道孔动力学过程

基金：

贵州省科学技术基金贵州省科学技术基金四川省科技攻关项目四川省科技攻关项目

项目编号：

200822072006Z08-001-4

出版年：

2008

贵州工业大学学报(自然科学版)

贵州大学

CSTPCD

影响因子：0.206

ISSN：1009-0193

年,卷(期)：2008.37(5)