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低温生长GaAs在Nd:YVO4激光器中调Q特性的研究

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采用一种新型的被动调Q饱和吸收体,低温生长GaAs薄膜,实现了半导体抽运Nd:YVO4激光器的调Q运转.研究了激光器的调Q特性,调Q抽运阈值为2W.在抽运功率9.2 W时,获得的最短脉冲半峰全宽为15 ns,最大单脉冲能量为4.84 μJ,最高峰值功率为330 W,最大平均输出功率为1.16 W;脉冲重复频率在220 kHz到360 kHz之间.
Study on the Characteristics of Q-switching Nd:YVO4 Laser with GaAs Grown at Low Temperature

姜其畅、卓壮、王勇刚、李健、苏艳丽、马骁宇、张志刚、王清月

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山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014

山大鲁能科技有限责任公司,济南,250100

中国科学院半导体研究所,北京,100083

天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室,天津,300072

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低温生长GaAs 被动调Q Nd:YVO4激光器 半导体抽运

山东省科技厅科技攻关项目

031080125

2006

光子学报
中国光学学会 中国科学院西安光学精密机械研究所

光子学报

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：0.948
ISSN：1004-4213
年,卷(期)：2006.35(8)
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