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多孔硅的分形结构及其荧光特性

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用扫描电子显微镜(SEM)对多孔硅的结构进行了分析.结果显示多孔硅具有分形特性,同计算机模拟结果一致;用荧光光谱仪,研究了多孔硅的荧光特性与激发波长的依赖关系.激发光谱测量结果发现,当激发波长从650 nm变到340 nm时,荧光谱峰位从红端780 nm连续蓝移到500 nm.综合分析说明:正是由于多孔硅的分形微结构以及量子限制效应,导致了多孔硅的荧光特性随激发波长改变的物理现象.
Fractal Microstructures of Porous Silicon and Its Photoluminescence

陈兰莉、翟保改、黄远明

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南阳理工学院,电子系,河南,南阳,473004

云南师范大学,物理与电子信息技术学院,昆明,650095

多孔硅 分形结构 荧光 量子限制效应

国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金教育部科学技术研究重点项目河南省科技攻关项目南阳市科技发展计划

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2008

光子学报
中国光学学会 中国科学院西安光学精密机械研究所

光子学报

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：0.948
ISSN：1004-4213
年,卷(期)：2008.37(8)
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