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金属基极紫外光刻胶

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由于具有光源波长短(13.5 nm)、图案化分辨率高等优点,极紫外(extreme ultraviolet,EUV)光刻技术被认为是突破5 nm甚至是3 nm半导体芯片制程节点的关键技术,与之相对应的EUV光刻胶研发广受关注.但传统的基于聚合物体系的化学放大光刻胶(chemical amplified resist,CAR)因尺寸过大、对EUV吸收低,限制了其在EUV光刻技术的应用进程.部分含有d轨道电子的金属元素具有高的EUV吸收截面,在光刻胶分子中引入这些金属元素可以有效提高对EUV的灵敏度.通过分子设计制备尺寸小、EUV吸收高的金属基光刻胶材料是解决EUV光刻胶服役性能问题的有效途径,已得到了广泛的研究.本文按金属氧簇(MOCs)、金属氧化物纳米粒子(NP)、金属-有机小分子(MORE)进行分类,对目前国内外的EUV光刻胶研究进展进行总结,并对EUV光刻胶未来所面临的机遇和挑战进行了展望.
Metal-based extreme ultraviolet photoresist

陈昊、陈鹏忠、彭孝军

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大连理工大学精细化工国家重点实验室,智能材料化工前沿科学中心,辽宁大连116024

大连理工大学宁波研究院,浙江宁波315016

大连理工大学深圳研究院,广东深圳518057

极紫外光 光刻胶 集成电路 光敏性 抗刻蚀性

22090011220080242021CXGC010308

2022

10.11949/0438-1157.20220583

化工学报
中国化工学会 化学工业出版社

化工学报

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：1.26
ISSN：0438-1157
年,卷(期)：2022.73(8)
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