科学技术创新2022，Issue(2) ：21-24.

对反铁磁半导体MoCl2单层的理论预测

Theoretical Prediction of MoCl2 Monolayer for an Antiferromagnetic Semiconductor

唐卉
科学技术创新2022，Issue(2) ：21-24.
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对反铁磁半导体MoCl2单层的理论预测

Theoretical Prediction of MoCl2 Monolayer for an Antiferromagnetic Semiconductor

唐卉1
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作者信息

  • 1. 西南大学物理科学与技术学院,重庆 400715
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摘要

我们通过第一性原理计算研究了MoCl2单分子层的几何形状、稳定性、电子和磁性特性,报告了它是一种稳定的反铁磁半导体.通过自旋极化态密度和能带结构计算,验证了MoCl2单层是反铁磁半导体.声子色散和弹性模量计算表明,MoCl2单分子层是动力学稳定和机械稳定的.此外,单层MoCl2的带隙、单个Mo原子的磁矩可以通过施加双轴应变有效地调节,但是材料的反铁磁性半导体性质在应力下是稳定的,表明MoCl2单层是自旋电子应用的潜在候选材料.

关键词

MoCl2单层/反铁磁半导体/应力

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出版年

2022
科学技术创新
黑龙江省科普事业中心

科学技术创新

影响因子：0.842
ISSN：1673-1328
参考文献量7
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