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γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器性能的影响

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对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器(SPADs)进行了总剂量为10 krad(Si)和20 krad(Si)的γ辐照,并进行了原位和移位测试.辐照后,暗电流和暗计数率有轻微的下降,而探测效率和后脉冲概率基本不变.经过一定时间的室温退火后,这些退化基本恢复,这表明瞬态电离损伤在γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器的损伤中占主导地位.
Effects of Gamma irradiation on performance of InGaAsP/InP single-photon avalanche diodes
InGaAsP/InP single-photon avalanche diodes(SPADs)were gamma-irradiated with total doses of 10 krad(Si)and 20 krad(Si)and tested in situ and shift methods.After irradiation,the dark currents and dark count rates were degraded slightly,whereas the photon detection efficiency and the after pulse probability were basically unchanged.After a certain period of annealing at room temperature,these degradations were essentially recov-ered,indicating that transient ionization damage dominated in the gamma irradiation of InGaAsP/InP single-pho-ton avalanche diodes.

Gamma irradiationInGaAsP/InPsingle-photon avalanche diodesingle-photon performance

孙京华、王文娟、诸毅诚、郭子路、祁雨菲、徐卫明

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上海理工大学 材料与化学学院,上海 200093

中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083

中国科学院大学,北京 100049

中国科学院大学杭州高等研究院,浙江 杭州 310024

中国科学院上海技术物理研究所 空间主动光电技术重点实验室,上海 200083

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γ辐照 InGaAsP/InP 单光子雪崩探测器 单光子性能

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2024

10.11972/j.issn.1001-9014.2024.01.007

红外与毫米波学报
中国光学学会 中国科学院上海技术物理所

红外与毫米波学报

CSTPCD北大核心
影响因子：0.612
ISSN：1001-9014
年,卷(期)：2024.43(1)
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