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基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66～112.5 GHz低噪声放大器

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本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器.提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配.采用双谐振匹配网络实现了宽带的输入匹配和最佳噪声匹配.实测结果显示,最大增益在108 GHz处达到20.4 dB,在66～112.5 GHz范围内,小信号增益为16.9～20.4 dB.在90 GHz处,实测噪声系数为3.9 dB.实测的输入1-dB压缩点在整个W波段内约为-12 dBm.
A 66-112.5 GHz low noise amplifier with minimum NF of 3.9 dB in 0.1-μm GaAs pHEMT technology
A wideband low noise amplifier(LNA)covering the whole W-band in 0.1-μm GaAs pHEMT technol-ogy is designed.To reduce the inter-stage crosstalk and obtain wideband matching,a bypass circuit composed of dual shunt capacitors is proposed to provide wideband RF grounding.The wideband input matching and optimal noise matching are implemented by a dual-resonance input matching network.The measurement results exhibit a peak gain of 20.4 dB at 108 GHz.The measured small signal gain is 16.9-20.4 dB across 66-112.5 GHz.The measured noise figure(NF)is 3.9 dB at 90 GHz.The measured input 1-dB compression point(IP1dB)is around-12 dBm in W-band.

GaAs pHEMTlow noise amplifier(LNA)wide bandW-band

李泽坤、陈继新、郑司斗、洪伟

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东南大学 毫米波全国重点实验室,江苏 南京 210096

紫金山实验室,江苏 南京 211111

砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 宽带 W波段

National Natural Science Foundation of China

62188102

2024

10.11972/j.issn.1001-9014.2024.02.007

红外与毫米波学报
中国光学学会 中国科学院上海技术物理所

红外与毫米波学报

CSTPCD北大核心
影响因子：0.612
ISSN：1001-9014
年,卷(期)：2024.43(2)
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