计算SiC键能的一种新方法

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中文摘要：对碳化硅(SiC)的成键机理和微观模型进行了分析,根据SiC的结构与其能量之间存在的内在联系,采用新的宏观方法对SiC的键能进行了计算,得到的SiC键能理论值为467 kJ/mol,与实验值较为接近.与计算SiC键能的量子化学方法相比,其成键的微观机理同样具有合理性,成键的微观模型更简单,计算方法和计算过程非常简单,未人为添加经验性的物理参数.

作者：

何帅

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作者单位：

金隅冀东凤翔环保科技有限公司,陕西宝鸡 721400

关键词：

SiC 平均电势能密度键能

出版年：

2023

DOI：

10.13752/j.issn.1007-2217.2023.02.009

杭州化工

杭州市化工研究所　杭州市化工学会

杭州化工

影响因子：0.115

ISSN：1007-2217

年,卷(期)：2023.53(2)

参考文献量14